仮想三極管の三定数

 

真空管の特性を数値で表す要素として、増幅率 μ、相互コンダクタンス gm、内部抵抗 rp の三定数があります。五極管 Vb に負帰還抵抗 RsRf を付加した P-G 帰還回路全体をあたかも 1 本の仮想的な三極管 Vf と見なした場合、Vf の三定数 μfgmfrpf は、Vb の三定数(μgmrp からどのように変化するのでしょうか?

 

先のプレート特性図を描いた手法を流用し、下図の白点線枠で囲まれた2 ヶの抵抗とベース五極管 Vb から構成される P-G 帰還回路全体を仮想的に三極管 Vf と見立て、その三定数を測定するイメージで、仮想三極管の三定数を導き出してみます。

仮想三極管の三定数を導き出す流れは、

@      仮想三極管 Vf の三定数を測定

A      測定回路の動作を解析

B      解析結果から Vf の三定数を Vb の三定数で表現

とします。

ベースとなる五極管の三定数を、μrpgm

負帰還抵抗をRsRf

仮想的に見立てた三極管の三定数を、μfrpfgmf

とします。

 

 

 

 


測定回路と測定方法

2 が仮想三極管 Vf の測定回路です。 

測定は三種類行います

★測定1では、内部抵抗を求めてみます。

内部抵抗は、Vf のグリッド電圧 Ein を一定にしてプレート電圧 Ep を変化させ、プレート電流 Ip の変動を求める測定で良いかと思います。

★測定2では、相互コンダクタンスを求めてみす。

相互コンダクタンスは、Vf のプレート電圧 Ep を一定にしてグリッド電圧 Ein を変化させ、プレート電流 Ip の変動を求める測定で良いかと思います。

★測定3では、増幅率を求めてみます。 

増幅率は、プレート電源を定電流源に置き換えて Vf のグリッド電圧 Ein を変化させ、プレート電圧Ep の変動を求める測定で良いかと思います。

 


測定1 内部抵抗 rpf を求める

@      内部抵抗の測定

入力電圧 Ein を一定として、プレート電圧 Ep Ep だけ増加させて各電圧、電流を測定する。

仮想三極管 Vf の所作としては、グリッド電圧 Einは一定で、プレート電圧 Ep Ep 増加させたところ、プレート電流がIp 増加した、となる。

従い、仮想三極管 Vf の内部抵抗 rpf は、rpfEp /Ip で得られる。

 

A      測定回路の動作

プレート電圧がEp 増加したことにより、

©  負帰還抵抗Rs の両端電圧が上昇し、グリッド電圧が同じく上昇する。その値は、

   僞gRs/(Rs+Rf)*僞pβ*僞p   β=Rs/(Rs+Rf)

この動作は、負帰還抵抗により β 倍の出力信号が入力 (グリッド) に戻される負帰還の所作と思われます。

©  五極管Vb のプレート電流が増加する。その値は Ipo だったとする。

©  帰還抵抗を流れる電流が増加する。その値は、IfEp/(Rs+Rf) のはず。 

©  P-G 帰還回路全体を流れる電流 (仮想三極管のプレート電流) Ip は、Vb に流れる Ipo If の合計値分増加する。

IpIpoIf 

 

B      内部抵抗の等価式

この測定動作での測定前の点を A 点、動作後の点を B 点として、VbVf それぞれのプレート特性図上にプロットする。また、ベース五極管 Vb のプレート特性図上で、C 点、D 点を図のように置く。

VbVf それぞれのプレート特性図は、プレート電圧は等しいが、プレート電流は IpoIp であり異なる点に注意。例えば、動作開始点 A は、プレート電圧は同一であるが、プレート電流はVb If 分小さい。

 

ベース五極管の D 点から B 点のプレート電流Ipo を分解して、Ip1 D 点から C 点のプレート電流変化値、僮p2 C 点から B 点のプレート電流変化値とすると、図から明らかなように、Ip1 rp から、Ip2 gm から得ることができ、

それぞれ、Ip1=Ep/rpIp2=gm*Eg となる。従い、

一方 僞gβ*僞p だったので、上記の式に代入し変形すると

次に、内部抵抗 rpf を変形すると、A から、IpIpoIf なので

以上から、仮想三極管の内部抵抗 rpf を表す等価式は以下となりました。

 

Leader LMV-181A


測定2 相互コンダクタンスgmfを求める

@      相互コンダクタンスの測定

プレート電圧Ep を一定として、入力電圧Ein Ein 増加させてプレート電流の増加量を測定する。

仮想極管 Vf の所作としては、プレート電圧 Ep は一定で、グリッド電圧をEin だけ増加させたところ、プレート電流がIp 増加した、となる。

従い、仮想三極管の相互コンダクタンス gmf は、gmfIp /Ein となる。

 

A      測定回路の動作

©  入力電圧 Ein の上昇によりベース管 Vb のグリッド電圧 Eg が上昇する。その増加量は負帰還抵抗により分圧された値で

EgRf /(Rs+Rf) *僞in(1β) *僞in となる。

このことは、入力信号の全てがグリッドに印加されず、負帰還抵抗で (1β) 倍に分圧(減衰)されてしまう、ということを指していると思われます。

©  ベース五極管Vb のグリッド電圧Eg の上昇により負帰還抵抗を流れる電流 If が減少する。減少量は、IfEin/(Rs+Rf)

このことは、入力信号が負帰還抵抗を経由してプレート側(出力側)に流れ込んでいるが、この電流量が減少した、と表現して良いかと思います。

©  ベース五極管Vbは、グリッド電圧 Eg Eg 増加し、プレート電圧 Ep は一定なので、プレート電流 Ipo は、相互コンダクタンスの定義から、Ipogm*Eg 増加したはずである。

©  また、P-G帰還回路全体を流れる電流Ipの増加量は、Vbに流れるIpo からIf を減算した値のはず。 

IpIpoIf 

 

B      相互コンダクタンスの等価式

この測定動作での測定前の点を A 点、動作後の点を B 点として、VbVf のそれぞれのプレート特性図上にプロットする。

一方、 僮p僮po僮f なので、相互コンダクタンス gmf

 

以上から、仮想三極管の相互コンダクタンス gmf を表す等価式は以下となりました。

 

(メモ)

©  Gmf の第一項の (1β)*gm は、入力信号の全てがグリッドに印加されず、負帰還抵抗で (1β) 倍に分圧 (減衰) されてしまうため gm が見かけ上 (1β) 倍となることを意味している。

©  Gmf の第二項の “−1/(Rs+Rf) は、入力信号が負帰還抵抗を経由して直接プレートに流れ込むため gmf は見かけ上 1V/(Rs+Rf) Ωだけ小さくなることを意味している。

 


増幅率μfを求める

@      増幅率の測定

プレート電源を定電流源としプレート電流 Ip を変化させないで、入力電圧 Ein Ein 増加させる。このとき、プレート電圧 Ep Ep 減少したとする。

仮想的に見立てた三極管の所作としては、プレート電流 Ip を一定として、グリッド電圧 Ein Ein 増加させたところ、プレート電圧 Ep Ep 減少した、となる。

従い、仮想三極管の増幅率 μf は、μf=−Ep/Ein となる。

 

A      測定回路の動作

この測定では、プレート電圧と入力電圧の両方が変化します。一遍に動作を解析できれば良いのですが難しいので、それぞれ分けて動作を解析しました。

©  入力電圧 Ein の増加のみに着目すると (プレート電圧の変化をゼロとした場合)

ベース五極管 Vb のグリッド電圧 Eg が増加する。その増加量は、負帰還抵抗により分圧されるので

Eg1Rf/(Rs+Rf) *僞in(1β) * 僞in となる。

このことは、入力信号の全てがグリッドに印加されず、負帰還抵抗で (1β) 倍に減衰されてしまう、ということを指していると思われます。

また、負帰還抵抗を流れる電流 If が減少する。減少量は、If1=−Ein/(Rs+Rf)。 Ip=0なので、Ipo1=−If1、のはず。

©  プレート電圧 Ep の減少のみに着目すると (入力電圧の変化をゼロとした場合)

ベース五極管 Vb のグリッド電圧Eg が減少する。その減少量は、負帰還抵抗により分圧されるので

僞g2Rs/(Rs+Rf)*僞pβ*僞p となる。

この動作は、負帰還抵抗により β 倍の出力信号が入力 (グリッド) に戻される負帰還の所作そのもの。

また、負帰還抵抗を流れる電流 If が減少する。減少量は、If2=−Ep/(Rs+Rf)。  Ip=0なので、Ipo2=−If2、のはず。

©  従い、ベース五極管 Vbは、グリッド電圧 Eg EgEg1+Eg2 増加し、プレート電流 Ipo は、Ipo=(If1+If2) 増加したはずである。

 

B      増幅率の等価式

この測定動作での測定前の点を A 点、動作後の点を B 点として、VbVf のそれぞれのプレート特性図上にプロットする。

また、ベース五極管のプレート電圧に着目すると、A 点と C 点間電圧は μ*Eg なので、

33 に 式31、式32 を代入すると、

Ep について解くと

 

従い、式3-4 から、仮想三極管の増幅率 μf を表す等価式は以下となりました。

 


検算

真空管の三定数の定義から、増幅率=内部抵抗*相互コンダクタンス なので

さらに変形

 

先の結果と同じ式となりました。

 


まとめ 

右図の仮想三極管 P-G 帰還) の三定数は、以下となりました。( 三定数式群A )   

 

μrpgm ベース管Vbの三定数

 

 

 


補足

#1 変形過程

 


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